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2N7002-G  Microchip Technology  MOSFET  -  商品詳細情報

2N7002-G Microchip Technology

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  • 2N7002-G

    2N7002-G

    Microchip Technology

    MOSFET

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    MOSFET

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    ECCN EAR99

    HTSN 8541210095

    Product Information

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    Datenblatt
    Design/Simulation Data
    Symbol/Footprint/3D Model(UltraLibrarian)(English) Download from Ultra Librarian
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    Datasheet(English)
    Design and Simulation Data
    Symbol/Footprint/3D Model(UltraLibrarian)(English) Download from Ultra Librarian

    Specifications

    Herstellername
    Microchip Technology
    Produktname
    2N7002-G
    Produkt Klassifikation
    MOSFET
    Lifecycle Status
    Active
    RoHS
    RoHS
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Technology System
    MOSFET(Metal Oxide)
    Package
    SOT-23(TO-236AB)
    Drain to Source voltage
    60V
    Continuous drain current
    115mA
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5|10V
    Drain to Source on-state resistance
    7.5Ohm
    Vgs(th)
    2.5 V
    Vgs (Max)
    30V
    Input Capacitance (Ciss)
    50pF
    Power consumption
    360mW
    Operating temperature range
    -55 to 150C
    Other names
    2N7002-GMCTR | 2N7002-GMC-ND | 2N7002-GMC | 2N7002-GMCCT | 2N7002-GMCDKR
    Type
    Power MOSFET
    Herstellerverpackung
    Tape & Reel
    Hersteller Verpackungsmenge
    3000

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