DTA024XEBTL Rohm Vorgespannter Bipolartransistor - 商品詳細情報
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DTA024XEBTL
DTA024XEBTL
Vorgespannter Bipolartransistor
Vorgespannter Bipolartransistor
PNP, SOT-416FL, R1≠R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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Datenblatt | |
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Environmental and Reliability Data | |
Other Environmental and Reliability Data(English) | Moisture Sensitivity Level |
Specifications
- Herstellername
- Rohm
- Produktname
- DTA024XEBTL
- Produkt Klassifikation
- Vorgespannter Bipolartransistor
- Lifecycle Status
- Active
- RoHS
- RoHS
- Transistor type
- PNP-Prebias+Diode
- Collector-emitter voltage
- 50V
- Collector current
- 100mA
- Package
- SC-89|SOT-490
- DC electricity gain
- 80@5mA|10V
- Frequenz-Übergang
- 250MHz
- Gleichstromverstärkung (hFE) (Minimum)
- 80@5mA,10V
- Mounting Type
- Surface Mount
- Paket (Lieferant)
- EMT3F(SOT-416FL)
- Power-Maximum
- 150mW
- Rated power
- 150mW
- Spannungs-Kollektor-Emitter-Durchbruch (maximal)
- 50V
- Stromabnehmer (Ic) (maximal)
- 100mA
- Stromabnehmerabschaltung (maximal)
- 500nA
- Vce-Sättigung (maximal)
- 150mV@500uA|5mA
- Widerstands-Emitter-Basis (R2)
- 47kOhm
- Widerstandsbasis (R1)
- 22kOhm
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