DTA013ZEBTL Rohm Vorgespannter Bipolartransistor - 商品詳細情報
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DTA013ZEBTL
DTA013ZEBTL
Vorgespannter Bipolartransistor
Vorgespannter Bipolartransistor
PNP, SOT-416FL, R1≠R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
HTSN : 8541210075
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Datasheet(English) | EN_Rohm_データシート_20161101101043391 |
Datasheet(English) | EN_Rohm_Datasheet_20210617195625734 |
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Datenblatt | |
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Datasheet(English) | EN_Rohm_データシート_20161101101043391 |
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Environmental and Reliability Data | |
Other Environmental and Reliability Data(English) | Moisture Sensitivity Level |
Design and Simulation Data | |
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Specifications
- Herstellername
- Rohm
- Produktname
- DTA013ZEBTL
- Produkt Klassifikation
- Vorgespannter Bipolartransistor
- Lifecycle Status
- Active
- RoHS
- RoHS
- Transistor type
- PNP-Prebias
- Collector-emitter voltage
- 50V
- Collector current
- 100mA
- Package
- SC-89|SOT-490
- Other names
- DTA013ZEBTLTR | DTA013ZEBTLDKR | DTA013ZEBTLCT
- DC electricity gain
- 30@5mA|10V
- Frequenz-Übergang
- 250MHz
- Gleichstromverstärkung (hFE) (Minimum)
- 30@5mA,10V
- Mounting Type
- Surface Mount
- Paket (Lieferant)
- EMT3F(SOT-416FL)
- Power-Maximum
- 150mW
- Rated power
- 150mW
- Spannungs-Kollektor-Emitter-Durchbruch (maximal)
- 50V
- Stromabnehmer (Ic) (maximal)
- 100mA
- Stromabnehmerabschaltung (maximal)
- 500nA
- Vce-Sättigung (maximal)
- 150mV@500uA|5mA
- Widerstands-Emitter-Basis (R2)
- 10kOhm
- Widerstandsbasis (R1)
- 1kOhm
- Hersteller Verpackungsmenge
- 600
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