CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies NVRAM - 商品詳細情報
CY14B104NA-BA25XI
CY14B104NA-BA25XI
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产品概要
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray
生命周期状态 : 量产中
ECCN
: 3A991b.2.a.
HTSN : 8542320041
数据表
规格书(English) | EN_Cypress Semiconductor_Datasheet_20150211055038912 |
规格书(English) | EN_Cypress Semiconductor_Datasheet_20180309133032336 |
设计、模拟用数据
其他资料
数据表 | |
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规格书(English) | EN_Cypress Semiconductor_Datasheet_20150211055038912 |
规格书(English) | EN_Cypress Semiconductor_Datasheet_20180309133032336 |
规格
- 制造商名称
- Infineon Technologies
- 制品名
- CY14B104NA-BA25XI
- 制品分类
- NVRAM
- 生命周期状态
- 量产中
- RoHS
- 符合RoHS标准
- 存储器结构
- 256Kx16
- 电源电压
- 2.7 to 3.6V
- 封装
- 48-TFBGA
- 存储器种类
- nvSRAM
- 类型
- Nonvolatile memory
- 其它名称
- 2015-CY14B104NA-BA25XI | CY14B104NABA25XI | SP005640697 | 2156-CY14B104NA-BA25XI | CYPCYPCY14B104NA-BA25XI | 2832-CY14B104NA-BA25XI | -CY14B104NA-BA25XI
- 动作温度范围
- -40 to 85C
- 存储器尺寸
- 4M
- 原厂包装
- Tray
- 制造商数量
- 299
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