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CY14B104NA-BA25XI  Infineon Technologies  NVRAM  -  商品詳細情報

CY14B104NA-BA25XI

Infineon Technologies

NVRAM

CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies

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  • CY14B104NA-BA25XI

    CY14B104NA-BA25XI

    Infineon Technologies

    NVRAM

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  • 产品概要

    NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray

    生命周期状态 : 量产中
    ECCN 3A991b.2.a.

    HTSN 8542320041

    产品文档

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    设计、模拟用数据

    规格

    制造商名称
    Infineon Technologies
    制品名
    CY14B104NA-BA25XI
    制品分类
    NVRAM
    生命周期状态
    量产中
    RoHS
    符合RoHS标准
    存储器结构
    256Kx16
    电源电压
    2.7 to 3.6V
    封装
    48-TFBGA
    存储器种类
    nvSRAM
    类型
    Nonvolatile memory
    其它名称
    2015-CY14B104NA-BA25XI | CY14B104NABA25XI | SP005640697 | 2156-CY14B104NA-BA25XI | CYPCYPCY14B104NA-BA25XI | 2832-CY14B104NA-BA25XI | -CY14B104NA-BA25XI
    动作温度范围
    -40 to 85C
    存储器尺寸
    4M
    原厂包装
    Tray
    制造商数量
    299

    如果产品信息中有错误,请在此处指出。