IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGBT分立 - 商品詳細情報
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IGB30N60H3ATMA1
IGB30N60H3ATMA1
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生命周期状态 : 量产中
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
加工依頼
数据表
设计、模拟用数据
其他资料
数据表 | |
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规格书(English) | EN_Infineon Technologies_Datasheet_20230223012006886 |
技术文件 | |
应用笔记 | 第三代高速 (HighSpeed 3) 1200V IGBT - 高开关速度优化的新一代IGBT系列 |
应用笔记(English) | EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175830001 |
规格
- 制造商名称
- Infineon Technologies
- 制品名
- IGB30N60H3ATMA1
- 制品分类
- IGBT分立
- 生命周期状态
- 量产中
- RoHS
- 符合RoHS标准
- 收集器发射器电压
- 600V
- 收集器电流
- 60A
- 封装
- TO-263-3 D2Pak TO-263AB
- IGBT类型
- FST
- 输入类型
- 標準
- 其它名称
- IGB30N60H3-ND | 2156-IGB30N60H3ATMA1TR | IGB30N60H3CT | IGB30N60H3TR-ND | IGB30N60H3ATMA1CT | IGB30N60H3 | IGB30N60H3ATMA1DKR | IGB30N60H3DKR-ND | IGB30N60H3CT-ND | IGB30N60H3DKR | IGB30N60H3ATMA1TR | SP000852240
- 动作温度范围
- -40 to 175C
- 额定电力
- 187W
- 原厂包装
- Tape & Reel
- 制造商数量
- 1000
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