“Bourns^® Model BID系列分立绝缘栅双极晶体管（IGBT）产品结合了MOSFET栅极和双极晶体管的技术，为高电压和高电流应用提供了最佳解决方案。这些器件采用沟槽式栅极场截止（TGFS）技术，可提供出色的动态特性控制，同时实现较低的集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））和较低的开关损耗。此外，由于采用热效率较高的TO-252、TO-247和TO-247N封装，这些器件可提供较低的热阻（Rth（jc））。这些具有成本效益、领先行业的产品同时符合RoHS标准。

Bourns^® BID系列IGBT的特性：
．分立式IGBT与快恢复二极管（FRD）封装在一起
．先进的沟槽式栅极场截止（TGFS）技术
．低饱和压降（VCE（sat））
．低开关损耗
．TO-252、TO-247、TO-247N封装
．符合电源开关产品的JEDEC标准
．符合RoHS标准

Bourns^® BID系列旨在满足家用电器、工业电机驱动、焊接等多种大批量、高增长应用的电源管理需求。
通过先进的沟槽式栅极场截止技术，可实现低传导和低开关损耗。Bourns^® IGBT系列产品能够满足对提高电源成本效益的日益增长的需求。”