F3L150R07W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies IGBT模块 - 商品詳細情報
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F3L150R07W2E3B11BOMA1
F3L150R07W2E3B11BOMA1
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生命周期状态 : 量产中
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
加工依頼
数据表
设计、模拟用数据
其他资料
数据表 | |
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规格书(English) | EN_Infineon Technologies_Datasheet_20230223011947720 |
环境和可靠性数据 | |
构成物质清单(English) | MCDS - Easy2-B |
技术文件 | |
应用笔记(English) | EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175804981 |
产品目录(English) | Product Brochure Industrial Gate Driver ICs Overview |
产品目录(English) | Product Brochure Industrial Gate Driver ICs Overview |
规格
- 制造商名称
- Infineon Technologies
- 制品名
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- 制品分类
- IGBT模块
- 生命周期状态
- 量产中
- RoHS
- 符合RoHS标准
- 最高动作温度
- 150C
- 最低动作温度
- -40C
- 其它名称
- F3L150R07W2E3_B11 | F3L150R07W2E3_B11-ND | 2156-F3L150R07W2E3B11BOMA1 | INFINFF3L150R07W2E3B11BOMA1 | SP000638568
- FET类型
- N
- 制造商数量
- 15
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