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S34ML04G100BHI000

Infineon Technologies

NAND 闪存

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    • ECCN : 3A991b.1.a.

    HTSN : 8542320071

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    规格书(English) http://www.spansion.com/Support/Datasheets/S34ML01G1_04G1.pdf
    规格书(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20231214143117505
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    设计和仿真数据
    符号/足迹/ 3D模型(UltraLibrarian)(English) Download from Ultra Librarian

    规格

    制造商名称
    Infineon Technologies
    制品名
    S34ML04G100BHI000
    制品分类
    NAND 闪存
    存储器结构
    512Mx8
    电源电压
    3|3.3V
    封装
    63-VFBGA
    类型
    SLC NAND
    其它名称
    S34ML04G100BHI000Z | 2832-S34ML04G100BHI000 | -S34ML04G100BHI000 | 1274-1041
    动作温度范围
    -40 to 85C
    存储器容量
    4Gb
    存储器尺寸
    4G
    系列名
    ML-1

    如果产品信息中有错误，请在此处指出。

    产品文档

    发货预定日 : 2025/03/14

    • C1S产品编号

       : 

      C1S322001453439

    最终发货地

     : 

    JP

    库存数 : 167,406


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    • Product name : S34ML04G100BHI000

      Manufacturers : Infineon Technologies

      数量 : 167

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