Bourns^®モデルBIDシリーズのディスクリート絶縁ゲートバイポーラトランジスター（IGBT）製品は、 MOSFETゲートとバイポーラトランジスターの技術を組み合わせているため、高電圧・高電流アプリケーションに最適なソリューションとなっています。これらのデバイスは、トレンチゲートフィールドストップ（TGFS）技術を使用して、コレクターエミッター間飽和電圧（VCE(sat)）とスイッチング損失を低減しながら、動的特性の優れた制御を実現します。また、熱効率の良いTO-252、TO-247およびTO-247Nパッケージにより、熱抵抗（Rth(j-c)）も低減します。これらの費用対効果の高い業界トップレベルの製品は、RoHSにも準拠しています。

Bourns^®モデルBIDシリーズIGBTの特長：
．高速回復ダイオードと一緒にパックされたディスクリートIGBT
．高度なトレンチゲートフィールドストップ（TGFS）技術
．低飽和電圧降下（VCE(sat)）
．低スイッチング損失
．TO-252、TO-247およびTO-247Nパッケージ
．電力スイッチング製品のJEDEC標準に従って認定済み
．RoHS準拠

Bourns^® BIDシリーズは、複数のハイボリューム・高成長アプリケーション（家電製品、産業用モータードライブ、溶接など）の電力管理ニーズに対応するように設計されています。 これらのBourns^® IGBTは、低い導電損失とスイッチング損失を可能にする高度なトレンチゲートフィールドストップ技術により、費用対効果の高い電力効率のニーズ拡大に対応します。