研究開発で得た専門知識を活用し、省スペースPoE ASFETとEMCを最適化したNextPowerS3 MOSFETを提供

2024年2月28日

Nexperiaは今年もAPECイベントに出展し、さまざまな市場で広範なアプリケーションに使用できるディスクリート・スイッチング・ソリューションの製品ラインナップをさらに拡充する複数の新しいMOSFETを発表します。今回発表するのはDFN2020封止により60%小型化したPoE、eFuse、リレー代替用の100Vアプリケーション専用MOSFET（ASFET）と、電磁両立性（EMC）性能が向上した40VのNextPowerS3 MOSFETです。

PoEスイッチは通常、最大48個のポートを備えており、それぞれ保護用に2個のMOSFETを必要とします。1枚のプリント基板に最大96個のMOSFETを搭載するため、デバイスの小型化はとても魅力的です。Nexperiaが今回発表した、2mm x 2mmのDFN2020に封止された100V PoE ASFETはLFPAK33に封止された以前の製品と比較して60%の小型化を実現しました。この製品には故障時も安全性を維持して突入電流を制限し、PoEポートを保護する重要な機能が備わっています。このシナリオを実現するため、NexperiaはRDS(on)をわずかに増加させるだけで、デバイスの安全動作領域（SOA）を最大3倍まで引き上げることに成功しました。今回発表したASFETはバッテリー管理、Wi-Fiホットスポット、5Gピコセル、CCTVアプリケーションにも適しており、例えばスマート・サーモスタットのメカニカル・リレーの代替として使用できます。

MOSFETスイッチングによって発生するEMC関連の問題は製品開発のライフサイクルの後半にならないと顕在化しないことが多く、それを解消しようとすると研究開発コストの増加と市場投入の遅れを招く場合があります。それを解決するための典型的な対策としてはRDS(on)が低く、非常に高価なMOSFETを使用する（スイッチングを遅くし、過剰な電圧リンギングを吸収するため）か、外付けの容量式スナバ回路を取り付ける方法があります（ただし部品点数が増えるという欠点があります）。Nexperiaは40VのNextPowerS3 MOSFETを最適化することで、外付けスナバ回路を使用した場合と同等のEMC性能に加え、高い効率も実現しました。これらの新しいMOSFETはさまざまなアプリケーションのスイッチング・コンバータやモーター・コントローラ用途に適しており、LFPAK56パッケージに封止されて提供されます。

NexperiaのMOSFETマーケティング＆プロダクト・グループ・ディレクターのChris Boyceは「ディスクリートFETソリューション製品ラインナップを拡充する新製品をAPEC2024で発表することにより、研究開発で得た専門知識を活用して最適化されたソリューションを提供していることをアピールしたいと考えています。100 V PoE ASFETの新製品を発表し、40 V NextPowerS3 MOSFETでEMC性能の向上を達成したことからも、多様なアプリケーションの課題を克服するためにエンジニアをサポートする当社のコミットメントを感じていただけると思います」と述べ、さらにNexperiaでは進化し続ける今日の市場でお客様が成功できるようサポートしており、今回のイノベーションも効率性、サイズ、信頼性に優れたソリューションを提供することへのこだわりが現れています」と語りました。

NexperiaのPoE ASFETについて詳しくは以下をご覧ください。

NexperiaのNextPowerS3 MOSFETについて詳しくは以下をご覧ください。

Nexperiaについて

オランダに本社を置くNexperiaはヨーロッパの豊かな歴史を持ち、欧州、アジア、米国で15,000人以上の従業員を擁するグローバル半導体企業です。Nexperiaは必要不可欠な半導体の開発・製造におけるエキスパートとして、自動車、産業からモバイル、コンシューマ向けアプリケーションまで、世界のほぼすべての電子機器の基本機能を実現する部品を提供しています。世界のお客様に向けてサービスを提供しており、製品の年間出荷台数は1,000億以上に及びます。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費電力、性能における効率性のベンチマークとして高い評価を得ています。Nexperiaは革新性、効率性、持続可能性、厳しい業界要件への対応に注力しており、そのことは充実したIPポートフォリオ、製品ラインナップの拡充、IATF16949、ISO9001、ISO14001、ISO45001規格への準拠に現れています。