2024年9月25日

当社は、太陽光インバーターやEV充電スタンド、スイッチング電源などの産業用機器に向けた、当社第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) に、1200V耐圧品「TRSxxx120Hxシリーズ」を追加しました。TO-247-2Lパッケージの5製品とTO-247パッケージの5製品、計10製品の出荷を本日から開始します。

新シリーズは、第3世代650V SiC SBDの改良型ジャンクションバリアショットキー (JBS) 構造[注1]を採用した1200V耐圧展開品です。新規ショットキーメタル[注2]を採用することで、業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧1.27V (typ.)、低い総電荷量、そして低い逆電流を実現しました。これにより、より大容量の機器の電力損失を大幅に低減します。

当社は今後もSiCパワーデバイスのラインアップ拡充を行い、産業用電力機器の高効率化 (電力損失低減) に貢献します。

[注1] 改良型JBS構造：ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できるJBS構造に、高電流における順方向電圧を低減できるMPS (Merged PiN Schottky) 構造を取り込んだ構造。

[注2] ショットキーメタル：ショットキーバリアダイオードで、半導体と接合される金属のこと。

[注3] 1200V耐圧SiC SBDにおいて。2024年9月現在、当社調べ。

応用機器

•太陽光発電用インバーター

•EV充電スタンド

•産業用スイッチング電源、UPS

新製品の主な特長

•第3世代 SiC SBD 1200V耐圧展開製品

•業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧：

VF＝1.27V (typ.) (IF=IF(DC))

•低い総電荷量：

TRS20H120Hの場合 QC=109nC (typ.) (VR=800V, f=1MHz)

•低い逆電流：

TRS20H120Hの場合 IR＝2.0μA (typ.) (VR=1200V)

詳しくは、こちらをご覧ください。