PowerPAKR SO-8Sパッケージで提供のTrenchFETRデバイス、低RthJC 0.45℃/Wにより144 Aの高IDを可能にし、電力密度を向上

2024年11月21日

ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長: 宗安 拓）は本日、通信、産業、コンピューティング用途向けに高い効率と電力密度を実現するため、150 V TrenchFETR Gen V nチャネルパワーMOSFETをPowerPAKR SO-8S（QFN 6x5）パッケージの新製品を発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSiRS5700DPは、従来のPowerPAK SO-8世代の製品と比較して、全体のオン抵抗を68.3％削減し、電力変換用途で重要な指標であるオン抵抗とゲート電荷の積（FOM）を15.4％低減します。また、RthJCを62.5％低減し、連続ドレイン電流を179％向上させています。

業界最小のオン抵抗（10 Vで5.6 mΩ）と、オン抵抗とゲート電荷の積のFOM（336 mΩ*nC）を備えた本日リリースのデバイスは、導通損失を最小化し、次世代の電源要件を満たす効率を実現します。これにより、6 kWのAIサーバー電源システムなどで効率を高める設計が可能です。また、PowerPAK SO-8Sパッケージの非常に低い熱抵抗（RthJC 0.45℃/W）により、連続ドレイン電流が最大144 Aに達し、電力密度の向上と強固な安全動作領域（SOA）性能を実現しています。

SiRS5700DPは、同期整流、DC/DCコンバーター、ホットスワップスイッチング、OR-ing機能に最適です。主な用途には、サーバー、エッジコンピューティング、スーパーコンピューター、データストレージ、通信電源、ソーラーインバーター、モータードライブ、電動工具、バッテリーマネジメントシステムが含まれます。RoHS準拠のハロゲンフリー品、100％ RgおよびUISテスト済みで、温度サイクルの信頼性を高めるIPC-9701基準に適合しています。6 mm x 5 mmの標準実装面積は、PowerPAK SO-8パッケージと完全互換です。

サンプルおよび製品は既にご提供可能です。量産時の標準納期に関しては、最寄りの代理店にお問い合わせ下さい。

ビシェイ・インターテクノロジー社について

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of techRのビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページはhttps://www.vishay.com/です。

「The DNA of tech®」はビシェイ社の登録商標です。「TrenchFETとPowerPAK」はSiliconix社の登録商標です。