チップワンストップ - 電子部品・半導体の通販サイト
Menu
日本語
SELECT YOUR LANGUAGE
日本円
SELECT YOUR CURRENCY FOR DISPLAY
優遇ステージ/割引率について

現在の商品表示価格は下記が適用されています。


・お客様のご利用状況によって優遇ステージと割引率が適用されます。
・割引に関しましては当WEBサイトからの直接のご注文に限ります。
・一部優遇ステージ対象割引にならない製品や数量がございます。
・優遇ステージの詳細はお客様担当へご確認ください。
・その他の割引とは併用できません。

F3L150R07W2E3B11BOMA1  Infineon Technologies  IGBTモジュール  -  商品詳細情報

F3L150R07W2E3B11BOMA1 インフィニオン いんふぃにおん

写真は参考画像です。
正確な仕様は製品仕様をご覧ください。

ブックマークに追加しました。
  • F3L150R07W2E3B11BOMA1

    F3L150R07W2E3B11BOMA1

    Infineon Technologies

    IGBTモジュール

    Infineon Technologies

    IGBTモジュール

    ブックマークに追加しました。
  • ライフサイクル : 量産中
    ECCN EAR99

    HTSN 8541290095

    製品情報

    関連動画
    データシート
    設計・シミュレーション用データ
    その他資料
    データシート
    データシート(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20230223011947720
    環境・信頼性データ
    構成物質一覧表(English) MCDS - Easy2-B
    技術資料
    アプリケーションノート(English) EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175804981
    カタログ(English) Product Brochure Industrial Gate Driver ICs Overview
    カタログ(English) Product Brochure Industrial Gate Driver ICs Overview

    製品仕様

    メーカ名
    Infineon Technologies
    製品名
    F3L150R07W2E3B11BOMA1
    製品分類
    IGBTモジュール
    ライフサイクル
    量産中
    RoHS
    RoHS対応
    最高動作温度
    150C
    最低動作温度
    -40C
    その他の型番/品番
    F3L150R07W2E3_B11 | F3L150R07W2E3_B11-ND | 2156-F3L150R07W2E3B11BOMA1 | INFINFF3L150R07W2E3B11BOMA1 | SP000638568
    FETタイプ
    N
    メーカ梱包数量
    15

    製品情報に誤りがございましたら、こちらからご指摘ください。

    製品説明

      *Increased blocking voltage capability to 650V

      *delimiter

      * Low inductive design

      *delimiter

      * Low Switching Losses

      *delimiter

      * Low V(CEsat)

      *delimiter

      * Al(2)O(3) Substrate with Low Thermal Resistance

      *delimiter

      * Compact Design

      *delimiter

      * PressFIT Contact Technology

      *delimiter

      * Rugged mounting due to integrated mounting clamps

    製品情報