DTA013ZEBTL Rohm プリバイアス・バイポーラトランジスタ - 商品詳細情報
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DTA013ZEBTL
DTA013ZEBTL
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製品概要
PNP, SOT-416FL, R1≠R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
ライフサイクル : 量産中
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541210075
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データシート
データシート(English) | EN_Rohm_データシート_20161101101043391 |
データシート(English) | EN_Rohm_Datasheet_20210617195625734 |
データシート | JA_Rohm_データシート_20240612115524121 |
設計・シミュレーション用データ
シンボル/フットプリント/3Dモデル(UltraLibrarian)(English) | Download from Ultra Librarian |
その他資料
データシート | |
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データシート | JA_Rohm_データシート_20240612115524121 |
環境・信頼性データ | |
その他環境・信頼性データ(English) | Moisture Sensitivity Level |
設計・シミュレーション用データ | |
シンボル/フットプリント/3Dモデル(UltraLibrarian)(English) | Download from Ultra Librarian |
製品仕様
- メーカ名
- Rohm
- 製品名
- DTA013ZEBTL
- 製品分類
- プリバイアス・バイポーラトランジスタ
- ライフサイクル
- 量産中
- RoHS
- RoHS対応
- トランジスタタイプ
- PNP-Prebias
- コレクタエミッタ電圧
- 50V
- コレクタ電流
- 100mA
- パッケージ
- SC-89|SOT-490
- その他の型番/品番
- DTA013ZEBTLTR | DTA013ZEBTLDKR | DTA013ZEBTLCT
- エミッタベース抵抗(R2)
- 10kOhm
- トランジション周波数
- 250MHz
- パッケージ(サプライヤ)
- EMT3F(SOT-416FL)
- ベース抵抗(R1)
- 1kOhm
- マウンティングタイプ
- Surface Mount
- 定格電力
- 150mW
- 最大コレクタエミッタブレークダウン電圧
- 50V
- 最大コレクタエミッタ間飽和電圧(VCE)
- 150mV@500uA|5mA
- 最大コレクタ遮断電流
- 500nA
- 最大コレクタ電流(Ic)
- 100mA
- 最大電力
- 150mW
- 最小DC電流ゲイン(hFE)
- 30@5mA,10V
- 直流電流増幅率
- 30@5mA|10V
- メーカ梱包数量
- 600
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