リコー電子デバイスの製品概要と少量対応、長期供給プログラムなどのご説明。最新の製品や特長ある製品からソリューション紹介をまじえてポイントを絞ってご紹介。IoT機器向けエナジーハーベスト蓄電用 昇圧DC/DCコンバータ、60V動作(80V定格)降圧DC/DCコントローラ、コイル内蔵 降圧DC/DCコンバータ、バックアップ切り換え回路内蔵リアルタイムクロック、ユニークなリセットIC、他

サージ保護、静電気保護に使用されるLittelfuseのTVSダイオードについて、基本的なパラメータの説明とデータシートの見方を説明します。
またLittelfuseのTVS製品ラインナップについて、サージ保護用途、静電気保護用途に分けて紹介させて頂きます。

電力変換システムに使用されるIGBTやパワーMOSFETなどのパワーデバイスを動作させるにはゲートに電圧印加する必要があります。
MCUなどのロジック出力では、通常IGBTやパワーMOSFETを直接動作させることができません。
そのため、ロジックレベルの信号をIGBTやパワーMOSFETを駆動できるレベルに変換するゲートドライバーが必要になります。
高度な保護機能と設計の柔軟性を兼ね備えた絶縁型スマートゲートドライバーをご紹介します。

アルミ電解コンデンサの寿命推定計算を行う上で、自己温度上昇と環境温度は重要なファクターです。リプル電流がコンデンサに重畳されると、コンデンサのESR 成分により内部発熱します。 ESR は周波数特性を持っているため、定格リプル電流値を回路動作周波数に換算して自己温度上昇を導出し、推定寿命計算を行う必要があります。
今回は、リプル電流を周波数換するための補正係数に焦点をあて、その使い方や活用方法について解説します。

次世代ワイドバンドギャップ半導体であるGaN-HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）は、従来のSiパワー半導体に比べて、高速かつ低損失なスイッチングが特長です。
この特長により、AC-DC電源におけるトランスなどの磁気部品のサイズ低減、および電力変換効率を向上させることができます。本ウェビナーでは、GaN HEMTのメリット（Siとの比較）に加え、GaN-HEMTとゲートドライバを集積したSiP「MasterGaN」を使用してGaNパワーデバイスを導入する方法を解説します。

物理量をセンサを介してをAD変換しマイコンに取り込みたいとき、アナログ回路を構築してインターフェースする必要があります。ここで「オシロスコープや複雑な測定器が必要ではないか」と思われますが、テスターと付帯回路と知恵とを融合すれば、かなりのところまで回路動作を確認できます。
このセッションでは焦電型赤外線センサを使った人体感知装置を試作し、テスターのみでどのように回路の動作・性能確認できるか、テクニックや考え方を紹介します。

日常生活の中で取り扱われる光、音、温度、湿度、重量などのアナログ信号を瞬時にデータ化し、インターネットを介して情報としてやりとりするIoTをはじめ、 様々なアプリケーションでアナログ信号の取得スピード、精度向上が求められております。
そこで使われるオペアンプ回路設計の際のお困りごとの過去事例と対策をご紹介いたします。

70社以上の主要半導体メーカーより認定された、半導体製品を継続供給する業界最大手の正規販売代理店及び製造メーカーとして、9万品番および30億個以上のアナログおよびミックスド・シグナル製品を保有しています。本ウェビナーでは、弊社のアナログおよびミックスド・シグナル製品ポートフォリオを中心に半導体製品の継続供給ソリューションのご説明をさせて頂きます。

計測器、医療機器、ファクトリー・オートメーション機器などに対して、Gbps超の絶縁シリアル通信を簡素な設計で実現するアナログ・デバイセズの最新のデジタル・アイソレーター：ADN462xを紹介します。