STマイクロエレクトロニクス
高電力システムの効率向上に最適なSiC MOSFET
STマイクロエレクトロニクス
高電力システムの効率向上に最適なSiC MOSFET
無料ウェビナー注目ポイント：自宅にいながら、次世代パワーデバイス SiC パワー半導体の最新情報を入手可能！
2020年5月26日（火）16:00~「高効率化に向けた最新SiCパワー半導体と制御回路技術」
終了しました
SiC MOSFET & ゲート･ドライブ参考ボード
-
SiC MOSFET
SCTW90N65G2V
「SCTW90N65G2V」は、一般的なTO247と同じサイズのHiP247パッケージで提供されるSiC MOSFETです。650V耐圧で、Rds(on)=18mΩ（標準値）の低抵抗、最大接合保証温度200℃、高速スイッチングが特徴で、産業用電源などの高電力システムの高効率化や高周波化の実現に最適な製品です。
-
SiC MOSFET用ゲート･ドライブ参考ボード
EVALSTGAP2SCM
STのSiC MOSFETの特徴である高速スイッチングの実現には、高いゲート駆動電流とオフ時の負バイアスが重要です。
この参考ボードには、STのSiC MOSFETの駆動条件に対応する絶縁型ゲート･ドライバ「STGAP2S」が搭載されています。
パネル閲覧・動画視聴
クリックするとパネルデータが拡大します
クリックすると動画が開始します
-
高電力システムの効率向上に最適な SiC MOSFET
ウェビナー
「高効率化に向けた
最新SiCパワー半導体と制御回路技術」
2020年5月26日（火）16時～16時45分
ライブ配信は終了しました。オンデマンド配信中！
ウェビナー内容
近年、省エネ化の切り札として注目される次世代パワー半導体のSiC（炭化ケイ素）。従来のシリコンに比べて、低損失、高速スイッチングである上、高温での動作が可能です。このウェビナーでは、STの最新SiCパワー半導体の特徴に触れながら、その特性を最大限引き出す機能や回路を実際の実験結果を用いて解説します。
※入力いただいた情報につきましては、STマイクロエレクトロニクス と共有させていただきますこと予めご了承ください。
About
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。
高速スイッチング 第2世代 SiC MOSFET
革新的な高電圧スイッチング 第2世代 SiC MOSFET
お問い合わせ