次世代パワーエレクトロニクス機器への採用として SiC パワー半導体は注目を集めています。
従来の Si（シリコン）パワーデバイスに比べて、機器の電力損失を大幅に削減できる SiC（シリコンカーバイド）パワーデバイスの 「最新の技術動向と今後の展開」、「採用への課題」、「SiC パワー半導体のトッププレイヤーの特長」、「高速スイッチングに対応した周辺機器」といった幅広いトピックスで 1日を通して計9つのセッションでお届けします。
プログラム
| 10:00~10:05 | 開会の挨拶 |
|---|---|
| SiC 次世代パワーエレクトロニクスを使いこなそう | |
| 10:05~10:55 |
SiC-MOSFETの最新技術動向と今後の展開筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸氏 概要：電力を効率よく使うためのパワーデバイス技術は、現代社会の根幹をなす重要な技術となっている。特に最近では、自動車の電動化（xEV）に向け、新材料SiC-MOSFETの実用化が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本講演では、最強の競争相手であるSi-IGBTとSiC-MOSFET開発技術の現状と今後の動向について、丁寧に解説したい。 
|
| 11:00~11:50 |
SiCを実際につかって失敗したこと気づいたこと有限会社レムフクラフト 代表取締役 浜田 智氏 概要：最近注目されているSiC。いざ使ってみるとMOSFETとは勝手が違う事に気づきます。本セミナーは実際の失敗と気づきによって構成されています。高速デバイスだからこそ表明化してきた現象、破裂して壊れるSiCと何もなく静かに壊れるSiC、ゲート・ドライバの構成とその絶縁電源、PWM信号を確実にドライバに伝える方法など、これまでデバイスの技術資料を詳しく読んできたけれど現実はどうなの？という方にお奨めです！ 
|
| SiC 次世代パワーエレクトロニクス各社の取り組みを大公開① | |
| 13:00~13:20 |
Cree WolfspeedのSiCパワー半導体製品の優位性と特徴及びユーザー様のベネフィットのご紹介Cree Japan Limited. Vice President of Sales and Marketing 田中 健仁氏 概要：30年以上にわたるCree社Wolfspeed SiCパワー半導体製品の、これまで業界をけん引してきた軌跡、特徴、その優位性を紹介し、またWolfspeedのSiC製品をご採用いただくユーザー様の得られる利便性を示します。併せて現在も進めておりますSiC半導体製品の供給キャパシティの拡充への投資と新しくリリースした650V耐圧製品のご紹介も行います。 
|
| 13:25~13:45 |
様々なアプリケーションで採用事例多数、インフィニオンのSiC『CoolSiC™』のご紹介インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社 Industrial Power Control事業本部 マーケティング＆アプリケーションサポート部 部長 瀧澤 靖明氏 概要：インフィニオンは、パワー半導体分野を長い間けん引している世界的企業です。我々は、世界的な電力需要高騰に伴う、省エネ化に応えるべく、SiからSiCそしてGaNにまでポートフォリオを拡げてきました。本日は、インフィニオンのビジネス面での特長（投資方向性）や、技術の特長（Trench型、高い閾値電圧、短絡耐量など）をご紹介することで、Si vs SiCだけでなく、SiCの中でもなぜインフィニオンなのかをご紹介できればと存じます。 
|
| 13:50~14:10 |
ROHMパワーデバイス新商品の紹介(SiC/IGBT/Power-MOSFET/IPM)ローム株式会社 パワーデバイス事業本部プロダクトマーケティング課 大森 脩平氏 概要：産業機器、民生、通信、OA市場向けの新商品とそのラインナップの紹介と簡単な応用紹介、Web上から提供可能な評価支援ツールをご案内します。 
|
| 14:15~14:35 |
産業機器の電源効率を劇的に改善！SiCパワーMOSFETのメリットSTマイクロエレクトロニクス株式会社 オートモーティブ & ディスクリート製品グループ パワー･トランジスタ製品部マネージャー 田中 佑城氏 概要：産業機器分野では、電源の高周波化に対するニーズの高まりから、SiCパワーMOSFETの導入が求められています。本講演では、電源に使用される昇圧コンバータなどの効率向上と高周波化を実際の比較データを用いて検証します。さらに、SiCパワーMOSFETに関するSTの生産体制や今後のロードマップ、最新の製品についてご紹介します。 
|
| SiC 次世代パワーエレクトロニクス各社の取り組みを大公開② | |
| 14:50~15:05 |
All-SiC パワーモジュールの性能を引き出すゲートドライバーモジュール株式会社タムラ製作所 電子部品事業本部 ユニット事業部 技術統括部 シニアスペシャリスト 青木 弘利氏 概要：エレクトロニクス分野において、重要な役割を担っているシリコン（Si）は、物性に基づく理論的限界に近づきつつある中、次世代ワイドギャップ半導体としてSiCを使用したAll-SiCの製品化が進んでいます。SiCはスイッチング時の損失を大きく低減できる利点がありますが、その特性を引き出すためには、専用の駆動回路の開発が必要になります。タムラ製作所は、All-SiCパワーモジュールの性能を最大限に引き出すゲートドライバをご提案します。 
|
| 15:10~15:25 |
SiCパワーデバイスを搭載した電力変換器の開発取り組みと製品への搭載事例の紹介ニチコン株式会社 NECST事業本部 事業戦略室 係長 津野 眞仁氏 概要：弊社は電力変換器の小型化・高効率化の実現のために、SiCパワーデバイスを搭載した電力変換器の開発を目指しました。いくつかの国プロに参加し、産学・産産連携を行うことで高周波駆動のSiCパワーデバイス搭載電力変換器の開発に成功しました。本セミナーでは、この開発取り組みについてのポイントをご紹介すると共に、本電力変換器を搭載した弊社製品についてご紹介いたします。 
|
| 15:30~15:45 |
高周波対応高圧アルミ電解コンデンサによる電力変換器の小型・高性能化を実現するソリューションのご提案日本ケミコン株式会社 技術本部 技術開発部 技術開発二グループ長 鈴木 真一氏 概要：最新の電力変換器では、小型・高効率化を実現するためにSiC/GaN等の高性能パワーモジュールを使用して、スイッチングの高速化と高周波化が進められています。そこに組み合わせて使用するコンデンサには商用周波数における電気特性だけではなく、スイッチング周波数に対応する高い周波数域での特性改善が求められます。本セミナーでは、現在開発中の高周波動作・高di/dtスイッチングを見据えた新しいコンセプトの高圧アルミ電解コンデンサをご紹介いたします。 
|
| 15:45~15:50 | 閉会の挨拶 |
Moderator株式会社チップワンストップ プロダクトマーケティング部 プロダクトチーム マネージャー 天野 博之 
|
|