ウィンボンド・エレクトロニクス

世界初OctalNANDフラッシュを含むエッジコンピューティングにおすすめメモリ特集

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世界初OctalNANDフラッシュを含むエッジコンピューティングにおすすめメモリ特集

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2020年5月19日(火)16:00~「世界初OctalNAND フラッシュ 大容量かつ高速読出しを実現」
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お得なキャンペーン:QuadSPIフラッシュメモリ サンプルシールド アンケートキャンペーン実施中!
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製品紹介

世界初オクタル・インターフェースNANDフラッシュ -車載や産業機器アプリケーションにおすすめ-


NANDフラッシュメモリとして世界初のオクタル・インターフェースをもつウィンボンドのOctalNAND / W35N-JWファミリは一般電子機器はもとより、車載や産業機器用アプリケーション向けに堅牢で信頼性の高いコードストレージを提供します。
– 高速読み出し(最大240Mバイト/秒)
– 高信頼性(46nmシングル・レベル・セルNANDプロセス)
– 高耐久性(エンデュランス10万回、データ・リテンション10年)
– コードストレージ用途向け大容量フラッシュ
– オクタルNORフラッシュとピン互換

容量 型番 最大周波数(MHz) 電源電圧 I/O 温度 パッケージ
1Gb W35N01JW 166 MHz (STR)
120 MHz (DTR)
1.8V x1/x8 -40~85℃ (Industrial Grade),
-40~105℃ (Automotive Grade 2)
24-ball TFBGA 8×6 mm
2Gb W35N02JW
4Gb W35N04JW

HyperRAM™ -AIoTアプリケーションにおすすめ-


HyperBus®インターフェースをサポートするHyperRAM™ は、高性能で低消費電力の新世代MCU向けに、既存のSDRAMやpSRAMよりも優れたパフォーマンスを提供します。
– 省スペース(少ピンカウントパッケージ)
– 低消費電力(ハイプリッドスリープモード(HSM)時:45μW@1.8V
– シンプルな基盤設計(信号ピンは13本のみ:PCBレイアウト設計を大幅に簡素化

容量 型番 最大周波数(MHz) 電源電圧 I/O 温度 パッケージ
32Mb W955D8MB 333Mbps(DDR) 1.8V x8 -40℃ ~ 85℃ TFBGA24, WFBGA49, KGD
64Mb W956D8MB 333/400Mbps(DDR) 1.8V -40℃ ~ 85℃, Automotive TFBGA24, WFBGA49, WLCSP, KGD
W956A8MB 333/400Mbps(DDR) 3V
128Mb W957D8MF 400Mbps(DDR) 1.8V TFBGA24, WFBGA49
128Mb W957A8MF 333/400Mbps(DDR) 3V TFBGA24, WFBGA49

新世代の低消費電力LPDDR4x -AI、5G、IoTアプリケーションにおすすめ-


新世代の低消費電力モバイル製品、LPDDR4xはプロフェッショナル機能がフル装備されています。JEDEC準拠のLPDDR4x (VDDQ電圧0.6V) およびLPDDR4 (VDDQ電圧1.1V) の2シリーズを展開し、いずれも2Gbと4Gbの容量にて提供可能。人工知能(AI)や超高解像度ディスプレイ、5Gモバイル通信、IoT、先進運転支援システム(ADAS)、スマートスピーカー、8Kテレビ、5G携帯電話、セキュリティ監視システム等のアプリケーションに最適です。

容量 型番 最大周波数(MHz) 電源電圧 I/O 温度 パッケージ
2Gb W66BL6NBUA 1600/1866MHz/2133MHz 1.8V/1.1V/1.1V x16 -40℃~95℃
Automotive
WFBGA 200
W66BM6NBUA 1.8V/1.1V/0.6V
4Gb W66CL2NQUA 1.8V/1.1V/1.1V x32
W66CM2NQUA 1.8V/1.1V/0.6V

独自46nm製造プロセスを用いて構築されたSLC(シングル・レベル・セル)シリアルNANDフラッシュ


独自の46nm製造プロセスを用いて構築されたSLC(シングル・レベル・セル)シリアルNANDフラッシュ
– SCL NANDは、大容量MLC(マルチレベルセル)やTLC(トリプルレベルセル)より高信頼性
– 新しい高性能シリアルNANDは、既存のパラレルNANDやシリアルNANDよりも4倍の高速読み出しが可能
– データ転送速度は、競合のNANDフラッシュをはるかに上回る83Mb/秒で、インスツルメント・クラスタの起動時間を短縮

容量 型番 最大周波数(MHz) 電源電圧 I/O 温度 パッケージ
1Gb W25N01JW 166MHz(STR)
83MHz(DTR)
1.8V x1/x2/x4 -40~85℃ (Industrial Grade),
-40~105℃ (Automotive Grade 2)
WSON8(8x6mm)/TFBGA24(5×5-1 Ball)
SOIC16(300mil)
2Gb W25N02JW

“End-to-End”かつ包括的セキュリティ機能を求めるIoT機器に最適な セキュアフラッシュ


新製品W77Qは、標準SPI NORフラッシュメモリを継承=そのまま置換え可能なセキュアフラッシュメモリです。リモート攻撃を想定するIoT機器のコード&データを”End-to-End”で保護、異常検出、回復します。
セキュリティ機能には、セキュアブート、セキュアOver-The-Air (OTA)ファームウェア更新、セーフフォールバック等があり、必要なセキュリティ機能だけを選択・有効化できます。

容量 型番 最大周波数(MHz) 電源電圧 I/O 温度 パッケージ
32Mb W77Q32JWSN 133MHz 1.8V x1/x2/x4 -40℃ ~ 105℃ SOIC8(150mil)
W77Q32JWSF SOIC16(300mil)
W77M32HAWFIS(*) SOIC16(300mil)

※サンプルをご希望の方は、問い合わせフォームよりお問い合わせお願いいたします。
(*)W77Q(32Mb)とW25Q(256Mb)をスタックし1チップ化した製品です。

パネル閲覧・動画視聴

ウェビナー

「世界初のオクタルインターフェースNAND
大容量かつ高速読出しを実現」

2020年5月19日(火)16時~16時45分

ライブ配信は終了しました。オンデマンド配信中!

ウェビナー内容

近年、NORフラッシュメモリにおいてスケーリングが限界を迎えつつあり、512Mビット以上の容量帯では車載や産業機器向けを中心に、特にコスト効率の低下が問題視されています。ウィンボンドはこの問題を解決すべく新たにOctalNANDを開発しました。今回のウェビナーでは世界初のオクタル・インターフェースを持つウィンボンドのOctalNANDの製品仕様、既存製品との相違点、最適なアプリケーション等をご紹介いたします。

※入力いただいた情報につきましては、ウィンボンド・エレクトロニクス と共有させていただきますこと予めご了承ください。

キャンペーン

Winbond Quad SPIの評価キットをアンケートご回答者の中から抽選で50名の方にプレゼントいたします。プレゼント製品は、「Mbed対応のMCUボード」、「Arduino UNO R3互換端子を備えたShield Board」、「WinbondのQuad SPIフラッシュメモリを搭載したDaughter Board」のセットで構成されています。

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※チップワンストップよりご連絡をさせて頂く場合がございますので、予めご了承願います。
※いただいたアンケート内容はウィンボンド・エレクトロニクス株式会社と共有させていただきます。

About

ウィンボンド・エレクトロニクスはメモリの設計、研究開発、製造、および販売サービスを行うトータルメモリソリューションプロバイダです。取扱い製品は、スペシャリティ&モバイルDRAMとコードストレージフラッシュメモリで、通信、家電、車載、産業、コンピュータ周辺機器市場など広く採用されています。台湾に本社を置き、自社12インチファブをベースに高品質メモリ製品を提供するため更なる自社技術開発を進めています。

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[trust-form id=44667]