新製品「SCT3xxx xRシリーズ」のご紹介
ロームは、高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動自動車の充電ステーションなどに最適なトレンチゲート構造SiC MOSFET 「SCT3xxx xRシリーズ」を開発しました。
また、ディスクリート製品を搭載したSiC MOSFET評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」の提供も開始しており、簡単にデバイス評価ができるソリューションを提案しています。
「SCT3xxx xRシリーズ」の特長
4端子パッケージ（TO-247-4L）の採用により、スイッチング損失を約35％低減
従来の3端子パッケージ（TO-247N）は、ソース端子がもつインダクタンス成分によりゲート電圧の低下が起こり、スイッチングスピードが遅延する原因となっていました。
今回、SCT3xxx xRシリーズで採用した4端子パッケージ（TO-247-4L）は、パワーソース端子とドライバーソース端子を分離できるため、インダクタンス成分による影響を小さくすることができます。これにより、SiC MOSFETの高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができるため、特にターンオンでの損失を大幅に改善。ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると、従来品比約35％の損失低減が見込めます。
SCT3xxx xRシリーズラインアップ
評価ボード
P02SCT3040KR-EVK-001
- ローム製 SCT3040KR（1200V 40mΩ TO-247-4L）評価用回路乗数の変更により、他のローム製SiC－MOSFET評価が可能
- TO-247-4Lだけでなく、TO-247-3Lのスルーホールがあり、同じ基板で比較評価が可能。
- 単一電源（+12Vで動作）
- 最大150Aのダブルパルス試験、最大500kHzのスイッチング動作が可能
- 各種電源トポロジーに対応（Buck, Boost, Half-Bridge)
- ゲート駆動用絶縁電源を内蔵し可変抵抗で調整可能（+12V~+23V
- ゲート駆動用負バイアスとゼロバイアスをジャンパ端子で切り替えが可能
- 上下アームの同時オン防止、過電流保護機能（DESAT, OCP）内蔵
ロームのSiC MOSFET
高速・低オン抵抗化を実現
シリコンデバイスで実現不可能だった高速スイッチングと低オン抵抗を同時に実現し、高温領域においても優れた電気的特性を示します。スイッチング損失の大幅な低減と周辺部品の小型化に貢献します。
世代デバイスへの進化、第3世代SiC MOSFETデバイス
世界で初めて※トレンチ構造を採用したSiC MOSFETを開発、量産化に成功。更なる低オン抵抗デバイスの実現によ り、あらゆる機器の電力損失低減を実現します。※2018年10月ローム調べ
