従来の Si 半導体よりも高いエネルギー効率で、小型化、軽量化、コストダウンを可能にする SiC（シリコンカーバイド）、GaN（ガリウムナイトライド）素材のワイドバンドギャップパワー半導体を 1個からご購入いただけます。
SiC（シリコンカーバイド）
GaN（ガリウムナイトライド）
シリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適です。
ドレインソース電圧が400V~600Vのシリコンデバイスの置き換えにおすすめです。
従来の Si 半導体よりも高いエネルギー効率で、小型化、軽量化、コストダウンを可能にする SiC（シリコンカーバイド）、GaN（ガリウムナイトライド）素材のワイドバンドギャップパワー半導体を 1個からご購入いただけます。
シリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適です。
ドレインソース電圧が400V~600Vのシリコンデバイスの置き換えにおすすめです。
