STマイクロエレクトロニクス、高速リカバリ・ダイオード内蔵の新しいMDmesh(TM)パワーMOSFETを発表

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STマイクロエレクトロニクス、高速リカバリ・ダイオード内蔵の新しいMDmesh(TM)パワーMOSFETを発表

2017/05/29STMicroelectronics 電源/パワー

2017年5月29日

STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、スーパージャンクション型の超高耐圧パワーMOSFET「MDmesh(TM) DK5シリーズ」の新製品を発表しました。高速リカバリ・ダイオードの優れた特性を活かした同製品は、ゼロ電圧スイッチング（ZVS）を備えたLLC共振コンバータを含む多様な電力変換トポロジの効率を最大化します。

この新しいスーパージャンクション型のパワーMOSFET（定格電圧:950V～1050V）は、通常のプレーナ型のパワーMOSFETに比べて、ダイ面積あたりのオン抵抗(R(DS)(ON)) が低く、定格電流が高いことに加え、優れたスイッチング特性を備えています。同製品は、大電力装置用コンバータ（高バス電圧で動作する通信･データセンター用サーバ、工業用溶接機、プラズマ発生機、高周波誘導加熱器、X線装置など）において、電力効率を向上させると共に、併用部品を減らして電力密度を向上させることができます。

高速リカバリ・ダイオードを内蔵する新製品は、幅広い入力電圧範囲で高い効率が要求されるアプリケーションで使われるZVS LLC共振コンバータの高効率化を可能にします。また、その他のブリッジ型コンバータやバッテリ充電用のブーストDC-DCコンバータにも、低損失と優れたダイナミック特性というメリットを提供します。現在入手可能な高速ダイオード内蔵の超高耐圧パワーMOSFETと比べて、STのMDmesh DK5パワーMOSFETは、クラス最高の逆回復時間（trr）と最小のMOSFETゲート電荷（Qg）およびR(R(DS)(ON))を実現し、スーパージャンクション型パワーMOSFETとして最適な入出力容量特性(C(oss), C(iss))を兼ね備えています。

STのスーパージャンクション型の超高耐圧パワーMOSFET（800V～1500V）を拡充するMdmesh DK5ファミリは、6種類の新製品で構成され、TO-247、TO-247（ロング・リード）、Max247およびISOTOPパワー・パッケージで提供されます。STWA40N95DK5、STY50N105DK5およびSTW40N95DK5は現在量産中で、単価は1000個購入時に約8.85ドルです。

詳細については、 http://www.st.com/mdmeshdk5 をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2016年の売上は69.7億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。

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