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ニュースセンター

機器の省電力化と設計の簡易化に貢献する電圧共振回路用ディスクリートIGBT発売について

2019/12/24Toshiba  企業/市場動向


2019年 12月23日


当社は、卓上IH調理器、IH炊飯器、電子レンジなど調理家電の電圧共振回路用に1350V耐圧のディスクリートIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスター)「GT20N135SRA」を製品化し、本日から出荷を開始します。
 

新製品GT20N135SRAは、既存製品[注1]と比べて、コレクター・エミッター間飽和電圧[注2]が1.75Vと約10%低減、ダイオード順電圧[注3]が1.8Vと約21%低減しました。これによりIGBTとダイオードともに高温時 (TC=100℃)の導通損失特性を改善しており、機器の省電力化に貢献します。さらに、既存製品[注1]と比べて、接合・ケース間熱抵抗が0.48℃/W(max)と約26%低減され熱設計が容易になっています。
 

また、新製品は機器の起動時に発生する共振コンデンサーの短絡電流の抑制をはかっており、短絡電流[注4]ピーク値は、新製品が129Aと既存製品[注1]と比べて約31%低減しています。あわせて、安全動作領域が広くなっており、既存製品[注1]と比べて設計が容易です。


応用機器
・調理家電 (卓上IH調理器、IH炊飯器、電子レンジなど) の電圧共振回路用


新製品の主な特長
・低い導通損失:
VCE(sat)=1.6V (typ.) (@IC=20A、VGE=15V、Ta=25℃)
VF=1.75V (typ.) (@IF=20A、VGE=0V、Ta=25℃)
・低い接合・ケース間熱抵抗: Rth(j-C)=0.48℃/W (max)
・機器の起動時に発生する共振コンデンサーの短絡電流を抑制可能
・広い安全動作領域


新製品の主な仕様

 

[注1] 当社既存製品「GT40RR21」
[注2] 当社実測値。2019年6月時点。(測定条件: IC=20A、VGE=15V、TC=100℃)
[注3] 当社実測値。2019年6月時点。 (測定条件: IF=20A、VGE=0V、TC=100℃)
[注4] 当社実測値。2019年6月時点。 (測定条件: VCC=300V、VGG=15V、C=0.33μF、t=5μs、Ta=25 ℃)


新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/igbt-iegt/igbt/detail.GT20N135SRA.html?utm_source=chip1stop&utm_medium=webmedia&utm_campaign=jp&cid=jp-chip1stop


当社IGBT製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/igbt-iegt/igbt.html?utm_source=chip1stop&utm_medium=webmedia&utm_campaign=jp&cid=jp-chip1stop


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*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。


東芝半導体&ストレージ製品Website>
https://toshiba.semicon-storage.com/?utm_source=chip1stop&utm_medium=webmedia&utm_campaign=jp&cid=jp-chip1stop

 


企業HP:
https://toshiba.semicon-storage.com/?utm_source=chip1stop&utm_medium=webmedia&utm_campaign=jp&cid=jp-chip1stop

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