2023年8月31日

当社は、産業用機器向けに、スイッチング損失を低減する4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージに当社最新[注1]の第3世代シリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載したSiC MOSFET「TWxxxZxxxCシリーズ」を発売しました。10品種（650V耐圧製品5品種、1200V耐圧製品5品種）の出荷を本日から開始します。

新製品は、当社SiC MOSFETで初の4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用しています。4端子のため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することができます。パッケージ内部にあるソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減することができ、高速スイッチング性能を向上しました。新製品TW045Z120Cの場合、3端子タイプTO-247パッケージの当社既存製品TW045N120Cと比べて、ターンオン損失を約40％、ターンオフ損失を約34％低減[注2]しました。これにより、機器の電力損失の低減に貢献します。

なお、新製品を活用した「SiC MOSFET応用3相インバーター」のリファレンスデザインを開発し、本日当社ウェブサイトに公開しました。

当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップを拡充し、機器の電力の⾼効率化と大容量化に貢献します。

[注1] 2023年8月現在。

[注2] 2023年8月現在、当社実測値。(測定条件: VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25°C)

応用機器

・スイッチング電源（データセンターなどのサーバー、通信機器など）

・EV充電スタンド

・太陽光発電用インバーター

・無停電電源装置 (UPS)

新製品の主な特長

・4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用：

ゲートドライブ用信号ソース端子のケルビン接続でスイッチング損失を低減

・第3世代SiC MOSFET

・ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い

・順方向電圧 (ダイオード) が低い: VDSF=－1.35V (typ.) (VGS=－5V)

詳しくは、こちらをご覧ください。

当社の新製品や技術関連の情報を定期的にメールでお届けします。

登録はこちら

＊社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。