キマンダ、画期的な埋め込み型ワード線DRAM技術での量産開始

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キマンダ、画期的な埋め込み型ワード線DRAM技術での量産開始

2008/11/05キマンダプロセッサ/メモリ

キマンダ（Qimonda AG、本社：独ミュンヘン、日本法人：株式会社キマンダジャパン、東京都品川区、代表取締役社長：馬場久雄）は本日、同社の新しい埋め込み型ワード線技術を使用したDRAMチップの量産を開始したことを発表しました。キマンダの10月の売上には、65nm埋め込み型ワード線技術を使用した1Gbit DDR2チップの初回販売が計上されています。

また、次世代46nm埋め込み型ワード線技術を使った初回生産にも成功し、同技術に基づいた世界最小となるであろう2Gbit DDR3チップをテープアウトしました。キマンダの革新的な埋め込み型ワード線DRAM技術は、高性能、低消費電力、チップサイズの小型化をすべて実現するもので、現在インフラ、グラフィックスアプリケーション向けDRAMを中心としたキマンダの製品ポートフォリオ戦略を更に推進しています。

Qimonda AG、社長兼CEO、キンワー・ローのコメント
「65nm埋め込み型ワード線技術による量産の開始により、キマンダは新しい技術ロードマップにおいて重要なマイルストーンを達成しました。ドイツのドレスデンにある先端ファブでは、65nm埋め込み型ワード線技術のウェハ初期生産量が月産数百枚まで増加しており、今後数ヶ月で65nmへの更なる移行を推進します。65nmプロセスは高歩留まりを達成し、サンプルを受け取られたお客様からも、特に新しい埋め込み型ワードライン技術の特長である低消費電力に関し高い評価をいただいております。また、次世代46nm埋め込み型ワード線技術も、予定より早く初回生産に成功しており、2009年中旬までには量産を開始する予定です。65nm技術に比べて2倍以上のビット数を提供する46nm技術は、製造におけるテクノロジーリーダーとなるというキマンダの目標に向けた大きな前進となります。」

2008年2月キマンダは、新しいテクノロジーロードマップ、および、革新的な埋め込み型ワード線技術に基づく初めての動作検証済みサンプルを発表しました。この埋め込み型ワード線構造は、キマンダの培ったトレンチ技術がもたらした省電力効果と、DRAM業界で広く使われる標準スタック型キャパシタとを組み合わせたものです。キマンダの革新的埋め込み型ワード線技術の概念は、シリコンウェハ上のエッチングおよびフィリング加工の経験に基づくものであり、DRAMセル技術の分野では完全な垂直セルの実現に向けた画期的な進展を示しています。また、埋め込み型ワード線技術は、4F2（総チップ面積がチップ上メモリフィーチャーサイズのわずか4倍）までセルサイズを縮小することが可能です。

第1世代の65nm埋め込み型ワード線技術のセルサイズは、既に6F2まで縮小されていることに対し、現在キマンダが量産している75nm技術のセルサイズは8F2となります。サイズ縮小に加え65nm技術では、ウェハごとのビット数は75nmトレンチ技術と比べて40%以上増加します。
6F2セルサイズを実現する46nm技術は、65nm埋め込み型ワード線技術と比べ、2倍以上ものビット数を提供することが可能となります。75nmプロセスと比べると200%の増加となります。

埋め込みワード線技術の開発の一部は、欧州共同体（European Community）のEFREファンドの技術開発支援、およびドイツ連邦共和国サックソニー州の資金援助を受けています。

キマンダについて
キマンダ（Qimonda AG、本社：独ミュンヘン）は、幅広いDRAM製品ポートフォリオを持つ、グローバルなメモリサプライヤです。キマンダの2007会計年度の売上高は36.1億ユーロで、世界全体の従業員数は13,500人です。キマンダは、省電力技術やデザインをベースにコンピュータ、インフラストラクチャ、グラフィックス、モバイルおよびコンシューマ分野向けに幅広い製品ポートフォリオを有しています。詳細については
www.qimonda.jpをご参照ください。

企業HP:
http://www.qimonda-licensing.com/default.aspx

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